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图九：钟注最值化学气相沉积法在云母基片上合成纳米级Cr2S3薄片示意图及表征图10.Nanoscale硫化镍修饰提高无定形硫化钼纳米薄片的电催化活性无定形纳米级MoSx（a-MoSx）具有丰富的活性位点和可扩展的合成能力，钟注最值是用于氢释放反应（HER）的有吸引力的电催化剂。根据Anderson异质结模型，意力Cu9S5中高密度的空穴赋予了构造的p-n结Cu9S5/MoS2强大的内置电场。

二维三元材料中这种可变的化学计量比会对能带结构、纽约声子振动、晶格对称性和载流子传输产生重大影响。时报Cu9S5/MoS2光电探测器在光照下表现出1.6×1012 Jones的良好光探测性和76AW-1的光响应性。[9]相关成果以ControlledGrowthandThickness-DependentConduction-TypeTransitionof2DFerrimagneticCr2S3 Semiconductors为题，贡献广场广场发表在Adv.Matter.。

未经允许不得转载，钟注最值授权事宜请联系[email protected]。图三：意力铜取代的CoS2 @CuxS双壳纳米盒子合成示意图翟天佑（华中科技大学）4.Matter生长超薄三元PbSnS2薄片用于高度各向异性的光电二维（2D）三元材料作为2D材料家族的新成员，意力由于其来自多种元素化合物的额外自由度而受到了广泛关注。

图七：纽约O2等离子体处理技术的示意图及表征图张艳锋（北京大学）8.ACSNano在Au（111）上外延生长厘米级单晶MoS2薄膜二维（2D）半导体过渡金属硫化物（TMD）已成为下一代纳米电子学和光电子学中吸引人的平台，纽约具有高结晶度的晶片级单晶TMD的受控合成一直是人们的不懈追求。

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